价 格: | 3.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF3710S | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | HEMT高电子迁移率 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 57A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 28A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3130pF @ 25V
功率 - 200W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 管件
其它名称 *IRF3710SPBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4.5 毫欧 @ 75A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 210nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 9620pF @ 50V 功率 - 370W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)"
IRF7821 类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 13.6A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 9.1 毫欧 @ 13A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 1V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1010pF @ 15V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) 供应商设备封装 8-SO 包装 带卷 (TR) 其它名称 IRF7821GTRPBFTR