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供应 IC 芯片IRF3710S原装进口

价 格: 3.80
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF3710S
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-HBM/半桥组件
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:HEMT高电子迁移率

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏极至源极电压(Vdss) 100V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 57A
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 28A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 3130pF @ 25V
 
功率 - 200W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
 
供应商设备封装 D2PAK
 
包装 管件
 
其它名称 *IRF3710SPBF

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
  • 电话:
  • 传真:
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信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4.5 毫欧 @ 75A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 210nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 9620pF @ 50V 功率 - 370W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)"

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信息内容:

IRF7821 类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 13.6A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 9.1 毫欧 @ 13A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 1V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1010pF @ 15V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) 供应商设备封装 8-SO 包装 带卷 (TR) 其它名称 IRF7821GTRPBFTR

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