供应 场效应管IRFP350PBF原装进口
| 价 格： | 8.20 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFP350PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 400V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 9.6A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2600pF @ 25V
功率 - 190W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFP350PBF
深圳市耿城科技有限公司
主营：全世界各品牌IC，二三极，电容电阻，各种电子元件。
苏生：MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240
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- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 IC 芯片IRF3710S原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 57A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 28A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3130pF @ 25V 功率 - 200W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF3710SPBF
供应 IC 芯片IRFB4110原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4.5 毫欧 @ 75A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 210nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 9620pF @ 50V 功率 - 370W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)"
