价 格: | 8.30 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFB4227PBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
IRFB4227
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 65A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 24 毫欧 @ 46A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4600pF @ 25V
功率 - 330W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
场效应管 MOSFET P D2-PAK晶体管极性:P通道电流, Id 连续:23A电压, Vds :100V在电阻RDS(上):117mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:140W封装类型:D2-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)SMD标号:IRF9540NS功率, Pd:140W功耗:140W功耗(于1平方英寸PCB):3.8W封装类型:D2-PAK封装类型, 替代:D2-PAK温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-23A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:100V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:27A表面安装器件:表面安装"
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 9.6A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2600pF @ 25V 功率 - 190W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP350PBF 深圳市耿城科技有限公司主营:全世界各品牌IC,二三极,电容电阻,各种电子元件。 苏生:MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240 因IC产品数万种型号,无法一一提供图片以及价格,所以请咨询客服人员、谢谢 具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。 新品陆续上架,敬请期待