类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 2.3 欧姆 @ 3A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1770pF @ 25V
功率 - 167W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220
包装 管件
产品目录页面 1608 (CN2011-ZH PDF)
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 阵列系列 HEXFET®FET 型 2 个 N 沟道(双) FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.2A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 50 毫欧 @ 2.6A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)() 700mV @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 660pF @ 15V 功率 - 2W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) 供应商设备封装 8-SO 包装 管件"
IRF9530N 晶体管极性:P通道电流, Id 连续:13A电????, Vds :100V在电阻RDS(上):200mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:75W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:75W功耗:75W器件标记:IRF9530N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-14A热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:100V电压, Vds 典型值:-100V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:52A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a