价 格: | 1.90 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFR9220 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | P沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 |
IRFR9220
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.6A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 2.2A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 340pF @ 25V
功率 - 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 管件
数据列表 IRL2203NPbF 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 116A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 7 毫欧 @ 60A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 1V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3290pF @ 25V 功率 - 180W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRL2203NPBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 150V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 171A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 5.9 毫欧 @ 103A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 227nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 10470pF @ 50V 功率 - 517W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 管件 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)"