MOS管AO4414
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：AO | 型号：AO4414 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：SW-REG/开关电源 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：10（μS） | 极间电容：4000（pF） |
| 低频噪声系数：120（dB） | 漏极电流：30（mA） | 耗散功率：100（mW） |
General Description
The AO4414 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON)
and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. The source leads are separated to allow
a Kelvin connection to the source, which may be
used to bypass the source inductance. Standard
Product AO4414 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4414L is a Green Product
ordering option. AO4414 and AO4414L are
electrically identical.Features
VDS (V) = 30V
ID = 8.5A (VGS = 10V)
RDS(ON)
< 26m? (VGS = 10V)
RDS(ON) < 40m? (VGS = 4.5V)
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 邹荣财
- 电话：86 0755 28580524
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MOS管AO4420
信息内容：品牌：AO型号：AO4420种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：D-G双栅四极封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GE-N-FET锗N沟道开启电压：10（V） 夹断电压：30（V） 跨导：10（μS） 极间电容：4000（pF） 低频噪声系数：20（dB） 漏极电流：200（mA） 耗散功率：100（mW） 原装现货General DescriptionThe AO4420 uses advanced trench technology toprovide excellent R DS(ON),shoot-through immunity andbody diode characteristics. This device is suitable foruse as a synchronous switch in PWM applications.AO4420L is offered in a lead-free package. AO4420L( Green Product ) is offered in a lead-free package.General DescriptionThe AO4420 uses advanced trench technology toprovide excellent R DS(ON),shoot-through immunity andbody diode characteristics. This device is suitable foruse as a synchronous switch in PWM applications.AO4420L is offered in a lead-free package. AO4420L( Green Product ) is offered in a lead-free package.FeaturesVDS (V) = 30VID = 13.7ARDS(ON) < 10.5m? (VGS = 10V)RDS(ON...
MOS管TSA20N50M
信息内容：品牌：TRUESEMI型号：TSA20N50M种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：D/变频换流封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：5（V） 夹断电压：5（V） 跨导：12（μS） 极间电容：400（pF） 低频噪声系数：280（dB） 漏极电流：20（mA） 耗散功率：450（mW） BVDSSID(DC)PDRds(on)500202800.26应用于\====充电器,开关电源代替FAQ20N50C
