品牌:DAWIN 型号:DA2F100N4S 批号:10 封装:5DM-1 营销方式:厂家直销 产品性质:热销 处理信号:数模混合信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双极型 集成程度:中规模 工作温度:-40~85(℃)
商品替换/技术参数对比表 | |||||||||||
商品型号 | 商品品牌 | Vrrm[V] | If(av)[A] | Vf(typ)[V] | Trr(typ)[ns] | Irrm(max[mA])@Tc=100 | Circuit Diagram | ||||
DA2F100N4S | 韩国DAWIN | 400 | 100X2 | 1.05 | 90 | 1.0 | C | ||||
推荐DA2F100N4S的理由:可完全替代三社与安森美同类产品 |
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品牌:DW大卫 型号:DH2F100N4S 封装形式:5DM-1 装配方式:5DM-1 封装材料:金属封装 结构:面接触型 材料:硅 功率特性:大功率 反向电压:400(V) 应用范围:快速关断(阶跃恢复)【商品型号】DH2F100N4S【商品编号】0147【商品名称】快恢复二极管模块【商品封装】3DM2-NI【商品品牌】韩国DAWIN【技术资料】商品型号商品品牌 Vrrm[V] If(av)[A] Vf(typ)[V] Trr(typ)[ns] Irrm(max[mA])@Tc=100 Circuit Diagram DH2F100N4S韩国DAWIN 400 100X2 1.05 90 1.0 G 产品图片及资料:http://www.hengfengde.cn/list.asp?ProdId=0147
品牌:稳先(WinSemi) 型号:SBP13003-O 应用范围:开关 功率特性:大功率 频率特性:中频 极性:NPN型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:功率型 封装材料:树脂封装 集电极允许电流:1.5(A) 集电极允许耗散功率:40(W) 营销方式:厂家直销 产品性质:热销SymbolParameterTest ConditionsValueUnitsVcesCollector-Emitter VoltageVbe=0700VVceoCollector-Emitter VoltageIb=0400VVeboEmitter-Base VoltageIc=09.0VIcCollector Current 1.5AIcpCollector pulse Current 3.0AIbBase Current 0.75AIbmBase Peak CurrentTp=5ms1.5APCTotal Dissipation at Tc*=25℃ 40WTotal Dissipation at Ta*=25℃ 1.25TjOperation Junction Temperature -40~150℃TstgStorage Temperature -40~150℃ 查阅技术资料与图片请登录http://www.hengfengde.cn或http://www.highfound.com 网上报价只作参考,价格面议