品牌:DW大卫 型号:DH2F100N4S 封装形式:5DM-1 装配方式:5DM-1 封装材料:金属封装 结构:面接触型 材料:硅 功率特性:大功率 反向电压:400(V) 应用范围:快速关断(阶跃恢复)
【商品型号】DH2F100N4S | |||
【商品编号】0147 | |||
【商品名称】快恢复二极管模块 | |||
【商品封装】3DM2-NI | |||
【商品品牌】韩国DAWIN | |||
【技术资料】 |
商品型号 | 商品品牌 | Vrrm[V] | If(av)[A] | Vf(typ)[V] | Trr(typ)[ns] | Irrm(max[mA])@Tc=100 | Circuit Diagram |
DH2F100N4S | 韩国DAWIN | 400 | 100X2 | 1.05 | 90 | 1.0 | G |
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品牌:稳先(WinSemi) 型号:SBP13003-O 应用范围:开关 功率特性:大功率 频率特性:中频 极性:NPN型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:功率型 封装材料:树脂封装 集电极允许电流:1.5(A) 集电极允许耗散功率:40(W) 营销方式:厂家直销 产品性质:热销SymbolParameterTest ConditionsValueUnitsVcesCollector-Emitter VoltageVbe=0700VVceoCollector-Emitter VoltageIb=0400VVeboEmitter-Base VoltageIc=09.0VIcCollector Current 1.5AIcpCollector pulse Current 3.0AIbBase Current 0.75AIbmBase Peak CurrentTp=5ms1.5APCTotal Dissipation at Tc*=25℃ 40WTotal Dissipation at Ta*=25℃ 1.25TjOperation Junction Temperature -40~150℃TstgStorage Temperature -40~150℃ 查阅技术资料与图片请登录http://www.hengfengde.cn或http://www.highfound.com 网上报价只作参考,价格面议
品牌:为先(WinSemi) 型号:BT152 控制方式:单向 极数:三极 封装材料:金属封装 封装外形:平底形 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:20(A) 控制极触发电压:600(V) 控制极触发电流:15(mA) 正向重复峰值电压:1.5(V) 反向阻断峰值电压:200(V)SymbolParameterConditionValueUnitsVDRMRepetitive Peak Off-State Voltage 600VIT(AV)Average On-State CurrentHalf Sine Wave:Tc=62℃12.7AIT(RMS)R.M.S On-State CurrentAll Conduction Angle20AITSMSurge On-State Current1/2Cycle,60Hz,Sine WaveNon-Repetitive220AI2tI2t for Fusing t=8.3ms242A2sdi/dtCritical rate of rise of on-state current 50A/μsPGMForward Peak Gate Power Dissipation 20WPG(AV)Forward Average Gate Power Dissipation 0.5WIFGMForward Peak Gate Current 5.0AVRGMReverse Peak Gate Voltage 5.0VTJOperating Junction Temperature -40~150℃TSTGStorage Temperature -40~150℃查阅技术资料与图片请登录http://www.hengfengde.cn或http://www.highfound.com 网上报价只作参考,价格面议