供应单向可控硅,BT152,152,WINSEMI
| 价 格： | 160.00 |
品牌:为先(WinSemi) 型号:BT152 控制方式:单向 极数:三极 封装材料:金属封装 封装外形:平底形 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:20（A） 控制极触发电压:600（V） 控制极触发电流:15（mA） 正向重复峰值电压:1.5（V） 反向阻断峰值电压:200（V）
| Symbol | Parameter | Condition | Value | Units |
| VDRM | Repetitive Peak Off-State Voltage | 600 | V | |
| IT(AV) | Average On-State Current | Half Sine Wave:Tc=62℃ | 12.7 | A |
| IT(RMS) | R.M.S On-State Current | All Conduction Angle | 20 | A |
| ITSM | Surge On-State Current | 1/2Cycle,60Hz,Sine Wave Non-Repetitive | 220 | A |
| I2t | I2t for Fusing | t=8.3ms | 242 | A2s |
| di/dt | Critical rate of rise of on-state current | 50 | A/μs | |
| PGM | Forward Peak Gate Power Dissipation | 20 | W | |
| PG(AV) | Forward Average Gate Power Dissipation | 0.5 | W | |
| IFGM | Forward Peak Gate Current | 5.0 | A | |
| VRGM | Reverse Peak Gate Voltage | 5.0 | V | |
| TJ | Operating Junction Temperature | -40～150 | ℃ | |
| TSTG | Storage Temperature | -40～150 | ℃ |
查阅技术资料与图片请登录http://www.hengfengde.cn或http://www.highfound.com 网上报价只作参考，价格面议
深圳市恒丰德电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 徐想文
- 电话：0755-82506222
- 传真：0755-82506222
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
