品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRFR5305TRPBF 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:500(V) 夹断电压:400(V) 低频跨导:12(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 漏极电流:1(mA) 耗散功率:25(mW)
宗强电子科技销售IR系列场效应管,原装环保价格实惠,备有大量库存,欢迎新老客户来电订购。
品牌:TDK MURATA CCT 型号:1812 1808 2512 介质材料:陶瓷(瓷介) 应用范围:高压 外形:叠片形 功率特性:大功率 频率特性:超高频 调节方式:固定 引线类型:无引线 允许偏差:±10(%) 耐压值:3000(V) 标称容量:103 损耗:1%% 额定电压:3000(V) 额定电流:10(A)本公司销售高压贴片电容,原装环保价格实惠,备有大量库存,欢迎新老客户来电订购。