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MOS管TSA20N50M

价 格: 面议

品牌:TRUESEMI型号:TSA20N50M种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:D/变频换流
封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:5(V)
夹断电压:5(V) 跨导:12(μS) 极间电容:400(pF)
低频噪声系数:280(dB) 漏极电流:20(mA) 耗散功率:450(mW)

BVDSSID(DC)PDRds(on)
500202800.26

应用于\====充电器,开关电源

代替FAQ20N50C

邹荣财
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 邹荣财
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