品牌:TRUESEMI | 型号:TSA20N50M | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:D/变频换流 |
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 开启电压:5(V) |
夹断电压:5(V) | 跨导:12(μS) | 极间电容:400(pF) |
低频噪声系数:280(dB) | 漏极电流:20(mA) | 耗散功率:450(mW) |
BVDSS | ID(DC) | PD | Rds(on) |
500 | 20 | 280 | 0.26 |
应用于\====充电器,开关电源
代替FAQ20N50C
原装现货 动态的dV / dt额定值 重复雪崩额定 分离中央安装孔 快速切换 轻松的并联 简单的驱动要求 铅(Pb)免费提供
是否提供加工定制:是产品类型:放大二极管是否进口:是品牌:NXP/恩智浦型号:BCX56-10材料:磷砷化镓(GaAsP)主要参数:1A80V用途:放大备注:原装 特点 •高电流(1A) •低电压(80V)。 应用 •音频和视频放大器驱动阶段。 描述 介质中采用SOT89塑料NPN型功率晶体管 包。