品牌:IR 型号:IRF634PBF 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷
IRF634PBF 250V,0.45Ω,8.1A,74W
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品牌:IR 型号:IRF630NPBF 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷dzsc/17/2991/17299198.jpgdzsc/17/2991/17299198.jpgdzsc/17/2991/17299198.jpgIRF630NPBF 200V,0.3Ω,9.5A,82W
品牌:TOSHIBA东芝 型号:M3 应用范围:整流 结构:肖特基 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装dzsc/17/3289/17328939.jpgdzsc/17/3289/17328939.jpg