MOS管AO4420
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：AO | 型号：AO4420 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：D-G双栅四极 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压：10（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：10（μS） | 极间电容：4000（pF） |
| 低频噪声系数：20（dB） | 漏极电流：200（mA） | 耗散功率：100（mW） |
原装现货General Description
The AO4420 uses advanced trench technology to
provide excellent R DS(ON),
shoot-through immunity and
body diode characteristics. This device is suitable for
use as a synchronous switch in PWM applications.
AO4420L is offered in a lead-free package. AO4420L
( Green Product ) is offered in a lead-free package.General Description
The AO4420 uses advanced trench technology to
provide excellent R DS(ON),
shoot-through immunity and
body diode characteristics. This device is suitable for
use as a synchronous switch in PWM applications.
AO4420L is offered in a lead-free package. AO4420L
( Green Product ) is offered in a lead-free package.Features
VDS (V) = 30V
ID = 13.7A
RDS(ON) < 10.5m? (VGS = 10V)
RDS(ON) < 12m? (VGS = 4.5V)
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 邹荣财
- 电话：86 0755 28580524
- 传真：86 0755 28580524
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MOS管TSA20N50M
信息内容：品牌：TRUESEMI型号：TSA20N50M种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：D/变频换流封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：5（V） 夹断电压：5（V） 跨导：12（μS） 极间电容：400（pF） 低频噪声系数：280（dB） 漏极电流：20（mA） 耗散功率：450（mW） BVDSSID(DC)PDRds(on)500202800.26应用于\====充电器,开关电源代替FAQ20N50C
功率MOS管150W800V---IRFPE40
信息内容：原装现货 动态的dV / dt额定值 重复雪崩额定 分离中央安装孔 快速切换 轻松的并联 简单的驱动要求 铅（Pb）免费提供
