供应三菱高频分立MOSFET管 RD45HMF1
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | RD45HMF1 | |
| 品牌/商标： | MITSUBISHI（三菱） | |
| 封装形式： | Ceramic | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 托盘 | |
| 功率特征： | 大功率 |
描述：RD45HMF1是一个专门MOS FET型晶体管专为900MHz-band高功率放大器申请 特征：高功率高增益：Pout>45W, Gp>4.7dB @Vdd=12.5V,f=900MHz高效率：50%typ 应用：对于输出的高功率放大器阶段800-900MHz 频带移动无线sets
DESCRIPTION
RD45HMF1 is a MOS FET type transistor specifically
designed for 900MHz-band High power amplifiers
applications.
FEATURES
High power and High Gain:
Pout>45W, Gp>4.7dB @Vdd=12.5V,f=900MHz
High Efficiency: 50%typ.
APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in
800-900MHz Band mobile radio sets
深圳浩时健电子有限公司是国内三菱射频电子元器件供应商，三菱射频产品广泛应用用于移动通信基站、直放站、卫星通信、有线电视、雷达、无线本地环等领域。积极向国内生产和科研单位推荐新产品：日本三菱公司生产的系列射频功率放大模块、系列射频场效应三极管。多年以来已为国内众多的生产厂家、科研院所、大专院校、国家重要单位维修部门的生产、维修、研制开发新品、教学实验等提供了准确、快捷、方便的配套供货服务。在经营运作上,我公司批发、零售兼营，可向用户长期保证货源，并保证供货品种的技术指标满足相关的国际检测标准。
三菱（MITSUBISHI）:HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET管）
RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1、RD06HHF1、RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD01MUS1、RD02MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD全系列。
三菱（MITSUBISHI）：（射频功率放大模块）
RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M、RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1、RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、RA01L8693MA等RA全系列。
本公司长期经营日本MITSUBISHI三菱全系列射频功率放大模块，保证全新原装，现货，批号无铅环保，假一罚十。深圳、香港公司备有大量现货库存，可提供样品，现特价热卖中。
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供应三菱高频分立MOSFET管 RD20HMF1
信息内容：描述：RD20HMF1是一个专门MOS FET型晶体管专为900MHz-band RF功率放大器申请. 特征：高功率增益：Pout>20W, Gp>8.2dB @Vdd=12.5V,f=900MHz高效率：55%typ. 应用：对于输出的高功率放大器阶段900MHz 频带移动无线电sets. ROHS柔性：RD20HMF1-101是RoHS兼容产品.RoHS遵守指示后，由信“G”该地段标志. DESCRIPTION RD20HMF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for 900MHz-band RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>20W, Gp>8.2dB @Vdd=12.5V,f=900MHz High Efficiency: 55%typ. 深圳浩时健电子有限公司是国内三菱射频电子元器件供应商，三菱射频产品广泛应用用于移动通信基站、直放站、卫星通信、有线电视、雷达、无线本地环等领域。积极向国内生产和科研单位推荐新产品：日本三菱公司生产的系列射频功率放大模块、系列射频场效应三极管。多年以来已为国内众多的生产厂家、科研院所、大专院校、国家重要单位维修部门的生产、维修、研制开发新品、教学实验等提供了准确、快捷、方便的配套供货服务。在经营运作上,我公司批发、零售兼营，可向用户长期保证货源，并保证...
三菱高频分立MOSFET管 RD02MUS1
信息内容：描述：RD02MUS1是MOS FET型晶体管专为VHF/UHF RF po-wer放大器应用 特征：高功率增益：Pout>2W, Gp>16dB @Vdd=7.2V,f=175MHz,520MHz 高效率：65%typ（175MHz）.高效率：65%typ（520MHz）. 应用：对于输出级的高功率放大器在VHF/UHF 频带移动无线电sets. ROHS柔性：RD02MUS1-101,T112是RoHS兼容产品.RoHS遵守表明该地段后由信“G”扣分.该产品包括高熔融高温型焊料中的铅.如何以往，它适用于RoHS方向以下情况除外.1.Lead高熔融焊锡（i.e.tin无铅焊料合金中含有较多的than85%.） DESCRIPTIONRD02MUS1 is a MOS FET type transistorspecifically designed for VHF/UHF RF po-wer amplifiers applications.FEATURESHigh power gain:Pout>2W, Gp>16dB@Vdd=7.2V,f=175MHz,520MHzHigh Efficiency:65%typ.(175MHz)High Efficiency:65%typ.(520MHz)APPLICATIONFor output stage of high power amplifiersIn VHF/UHF band mobile radio sets 深圳浩时健电子有限公司是国内三菱射频电子元器件供应商，三菱射频产品广泛应用用于移动通信基站、直放站、卫星通信、有线电视、雷达、无线本地环等领域。积极向国内生产和科研单位推荐新产品...
