FNK2302A|MOSFET应用电源管理
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK2302A | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT23-3 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
FNK2302A的产品说明
FN2302A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。
一般特点
●高功率和电流移交能力
●无铅产品被收购
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
各种常见的MOSFET技术
双栅极MOSFET
双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency,RF）积体电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。
耗尽型MOSFET
一般而言，耗尽型（depletion mode）MOSFET比前述的增强型（enhancement mode）MOSFET少见。耗尽型MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度，使得这种MOSFET的栅极就算没有加电压，通道仍然存在。如果想要关闭通道，则必须在栅极施加负电压。耗尽型MOSFET的应用是在"常关型"（normally-off）的开关，而相对的，加强式MOSFET则用在"常开型"（normally-on）的开关上。
NMOS逻辑
同样驱动能力的NMOS通常比PMOS所占用的面积小，因此如果只在逻辑门的设计上使用NMOS的话也能缩小芯片面积。不过NMOS逻辑虽然占的面积小，却无法像CMOS逻辑一样做到不消耗静态功率，因此在1980年代中期后已经渐渐退出市场。
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FNK2302A|MOSFET应用负荷开关
信息内容：乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 FNK2302A的产品说明 FN2302A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理各种常见的MOSFET技术 各种常见的MOSFET技术 双栅极MOSFET 双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency,RF）积体电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。 耗尽型MOSFET 一般而言，耗尽型（depletion mode）MOSFET比前述的增强型（enhancement mode）MOSFET少见。耗尽型MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度，使得这种MOSFET的栅极就算没有加电压，通道仍然存在。如果想要关闭通道，则必须在栅极施加负电压。耗尽型MOSFET的应用是在"常关型"...
FNK9926C|MOS管品质保障
信息内容：乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 FNK9926C的产品介绍 本产品采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。他们在很宽的栅极驱动范围从1.8V提供操作8V.这两个设备的可单独使用，在平行或形成双向无阻塞交换。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片。而P沟道常见的为低压Mos管。
