FNK2302A|MOSFET应用负荷开关
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK2302A | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT23-3 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。
FNK2302A的产品说明
FN2302A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。
一般特点
●高功率和电流移交能力
●无铅产品被收购
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理各种常见的MOSFET技术
各种常见的MOSFET技术
双栅极MOSFET
双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency,RF）积体电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。
耗尽型MOSFET
一般而言，耗尽型（depletion mode）MOSFET比前述的增强型（enhancement mode）MOSFET少见。耗尽型MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度，使得这种MOSFET的栅极就算没有加电压，通道仍然存在。如果想要关闭通道，则必须在栅极施加负电压。耗尽型MOSFET的应用是在"常关型"（normally-off）的开关，而相对的，加强式MOSFET则用在"常开型"（normally-on）的开关上。
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FNK9926C|MOS管品质保障
信息内容：乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 FNK9926C的产品介绍 本产品采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。他们在很宽的栅极驱动范围从1.8V提供操作8V.这两个设备的可单独使用，在平行或形成双向无阻塞交换。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片。而P沟道常见的为低压Mos管。
FNK9926C|场效应管估测放大能力
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 FNK9926C的产品介绍 本产品采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。他们在很宽的栅极驱动范围从1.8V提供操作8V.这两个设备的可单独使用，在平行或形成双向无阻塞交换。 估测放大能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能...
