供应 IR牌子 场效应管IRFB3206PBF 【IR代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFB3206PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | 300W | |
| 电压： | 60V | |
| 电流： | 210A |
- 场效应管MOSFET N沟道60V TO-220AB
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 210A
- 电压, Vds: 60V
- 在电阻RDS（上）: 3mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 300W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 175°C
- 封装类型: TO-220AB
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 300W
- 功耗: 300mW
- 器件标号: 3206
- 封装类型: TO-220AB
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 栅极电荷Qg N沟道: 120nC
- 漏极电流, Id值: 210A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 60V
- 电压, Vgs: 4V
- 电流, Idm脉冲: 840A
- 表面安装器件: Through Hole
- 阈值电压, Vgs th: 2V
- 阈值电压, Vgs th: 4V
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- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 马加鹏
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供应：场效应管 FSC : FQA28N50 【全新原装】【优势代理】
信息内容：FQA28N50 场效应管MOSFET N TO-3P晶体管极性:N沟道电流, Id连续:28.4A电压, Vds:500V在电阻RDS（上）:160mohm电压@ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th典型值:5V功耗, Pd:310W工作温度范围:-55°C到 150°C封装类型:TO-3P针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)功率, Pd:310W功耗:310W封装类型:TO-3P漏极电流, Id值:28.4A电压Vgs @ Rds on测量:10V电压, Vds典型值:500V电压, Vgs:5V电流, Idm脉冲:113.6A结温, Tj:-55°C结温, Tj:150°C 深圳市信科盛电子经营部地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都 联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振优势品牌产品系列：1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器4：MICROCHIP（微芯）①：8位PIC单片机 ②：16位PIC单片机 ③：32位PIC单片机5:：Texas Instrumen...
供应 IR牌子 场效应管IRF8707GTRPBF 【原装】【大量现货】
信息内容：数据列表IRF8707GTRPBF产品相片8-SOIC标准包装4,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能逻辑电平门漏源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)（25° C时）11A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）11.9毫欧@ 11A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）2.35V @ 25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)9.3nC @ 4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)760pF @ 15V功率-值2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装8-SO包装带卷(TR) "
