供应 场效应管 P0550BT,P0550AT,P0850AT
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | P0550AT,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω | |
| 品牌/商标： | NIKO | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
P0550AT,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω
P0550BT,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,5A,
P0850AT,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω
| Part Number | Package | Type | VDS | VGS | ID(25℃) | VGS(th) | RDS(on) mΩ Max | Ciss | Crss | Qg | Qgd |
| (V) | (±V) | (A) | max | Typ.(pf) | Typ.(pf) | Typ.(nC) | Typ.(nC) | ||||
| 10V | |||||||||||
| P0550AT | TO-220 | N | 500 | 30 | 5 | 4.5 | 1500 | 691 | 12 | 12.1 | 3.6 |
| P0850AT | TO-220 | N | 500 | 30 | 8 | 4.5 | 850 | 1250 | 14 | 21.6 | 6.6 |
| P1350AT | TO-220 | N | 500 | 30 | 13 | 4.5 | 500 | 2185 | 59 | 40 | 12.5 |
| P0460AT | TO-220 | N | 600 | 30 | 4 | 4.5 | 2000 | 780 | 12 | 19.4 | 8.7 |
| P0660AT | TO-220 | N | 600 | 30 | 6 | 4.5 | 1250 | 1274 | 23 | 28.9 | 10 |
| P1060AT | TO-220 | N | 600 | 30 | 10 | 4.5 | 750 | 2120 | 38 | 37 | 11.7 |
| P1260AT | TO-220 | N | 600 | 30 | 12 | 4.5 | 650 | 2290 | 46 | 46.5 | 16.1 |
| P1825AT | TO-220 | N | 250 | 24 | 18 | 4 | 200 | 1810 | 33 | 57 | 26 |
金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持
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供应 场效应管 P0850ATF,P0550ATF,P1350ATF
信息内容：产品型号:P0850ATF 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):39 输入电容Ciss(PF):1250 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):232 导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ. 上升时间Tr(ns):71 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):112 typ. 下降时间Tf(ns):69 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 P0260ATF,P0460ATF,P0660ATF
信息内容：产品型号:P0460ATF 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):27 输入电容Ciss(PF):780 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80 导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ. 上升时间Tr(ns):28 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):44 typ. 下降时间Tf(ns):44 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,4A N-沟道增强型场效应晶体管
