供应 场效应管 P0850ATF,P0550ATF,P1350ATF
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | P0850ATF,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω | |
| 品牌/商标： | NIKO | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:P0850ATF
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):39
输入电容Ciss(PF):1250 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):232
导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ.
上升时间Tr(ns):71 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):112 typ.
下降时间Tf(ns):69 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 P0260ATF,P0460ATF,P0660ATF
信息内容：产品型号:P0460ATF 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):27 输入电容Ciss(PF):780 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80 导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ. 上升时间Tr(ns):28 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):44 typ. 下降时间Tf(ns):44 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,4A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 NTD95N02RT4G,T95N02RG,NTD95N02
信息内容：产品型号:NTD95N02RT4G 特点 * 高功率和电流处理能力 * 快速开关性能 * 低RDS（on）为导通损耗最小化 * 低栅极电荷开关损耗最小化 * Pb-Free 应用 * CPU主板Vcore应用 * 高频率DC-DC转换器 * 电机驱动器 * 桥电路 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):95 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):86 输入电容Ciss(PF):2400 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：30 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):82 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ. 下降时间Tf(ns):70 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:24V,95A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
