供应 场效应管 P0260ATF,P0460ATF,P0660ATF
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | P0460ATF,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,2Ω | |
| 品牌/商标： | NIKO | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:P0460ATF
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):27
输入电容Ciss(PF):780 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80
导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ.
上升时间Tr(ns):28 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):44 typ.
下降时间Tf(ns):44 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,4A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 NTD95N02RT4G,T95N02RG,NTD95N02
信息内容：产品型号:NTD95N02RT4G 特点 * 高功率和电流处理能力 * 快速开关性能 * 低RDS（on）为导通损耗最小化 * 低栅极电荷开关损耗最小化 * Pb-Free 应用 * CPU主板Vcore应用 * 高频率DC-DC转换器 * 电机驱动器 * 桥电路 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):95 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):86 输入电容Ciss(PF):2400 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：30 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):82 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ. 下降时间Tf(ns):70 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:24V,95A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 NTD85N02RT4,NTD85N02R,NTD85N02
信息内容：产品型号:NTD85N02RT4 特点 * Pb−Free Packages are Available * Planar HD3e Process for Fast Switching Performance * Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss * Low Ciss to Minimize Driver Loss * Low Gate Charge 应用 * CPU主板Vcore应用 * 高频率DC-DC转换器 * 电机驱动器 * 桥电路 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):85 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0052 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):78.1 输入电容Ciss(PF):2050 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：38 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):85 导通延迟时间Td(on)(ns):6.3 typ. 上升时间Tr(ns):77 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:24V,85A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
