价 格: | 面议 | |
型号/规格: | NTD85N02RT4,SOT-252,SMD/MOS,N场,24V,85A,0.0052Ω | |
品牌/商标: | ON(安森美) | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 2500/盘 |
产品型号:NTD85N02RT4
特点
* Pb−Free Packages are Available
* Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
* Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
* Low Ciss to Minimize Driver Loss
* Low Gate Charge
应用
* CPU主板Vcore应用
* 高频率DC-DC转换器
* 电机驱动器
* 桥电路
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):85
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0052 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):78.1
输入电容Ciss(PF):2050 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):38
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):85
导通延迟时间Td(on)(ns):6.3 typ.
上升时间Tr(ns):77 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:24V,85A N-沟道增强型场效应晶体管
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产品型号:KIA3805 1.描述 功率MOSFET的设计采用沟槽基于布局的过程。这技术提高的表现相比,标准件,从各种sources.All的这些功率MOSFET是专为应用在开关稳压器,开关转换器,电机和继电器驱动器和驱动器的高要求高速度和低栅极驱动电源的功率双极晶体管的开关。 2,用途 * VDSS =55V,RDS(ON)=3.3mΩ,ID =220A * 先进的工艺技术 * 超低导通电阻 * 175°C的工作温度 * 快速开关 * 最多允许重复雪崩TJMAX 封装:TO-220/247 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):220 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0033 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):130 输入电容Ciss(PF):7960 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):75 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):730 导通延迟时间Td(on)(ns):150 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):93 typ. 下降时间Tf(ns):87 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:55V,220A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
产品型号:STP27N3LH5 特点 * RDS(ON)Qg和行业基准 * 极低的导通电阻RDS(on) * 极低的开关栅极电荷 * 高雪崩坚固耐用 * 低栅极驱动器的功率损耗 应用 * 开关应用 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±22 漏极电流Id(A):27 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1 MIN. 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):475 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s): 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):50 导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ. 上升时间Tr(ns):22 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):13 typ. 下降时间Tf(ns):2.8 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,27A N-沟道增强型场效应晶体管 This STripFE V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class figure of merit (FOM). (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)