供应 场效应管 STP27N3LH5,27N3LH5
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STP27N3LH5,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,27A,0.02Ω | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:STP27N3LH5
特点
* RDS(ON)Qg和行业基准
* 极低的导通电阻RDS(on)
* 极低的开关栅极电荷
* 高雪崩坚固耐用
* 低栅极驱动器的功率损耗
应用
* 开关应用
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±22
漏极电流Id(A):27
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1 MIN.
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):475 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):50
导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ.
上升时间Tr(ns):22 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):13 typ.
下降时间Tf(ns):2.8 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,27A N-沟道增强型场效应晶体管
This STripFE V Power MOSFET technology is among the latest improvements,
which have been especially tailored to achieve very low on-state
resistance providing also one of the best-in-class figure of merit (FOM).
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 APM2510,APM2510NUC,APM2510NU
信息内容：产品型号:APM2510NUC 应用:在台式计算机或DC / DC转换器电源管理 特点: * 25V/50A， RDS（ON）=8.5mΩ（typ.）@ VGS =10V RDS（ON）=15mΩ（typ.）@ VGS= 4.5V * 超级HighDense CellDesign * 额定雪崩 * 可靠耐用的 * 无铅和绿色器件（符合RoHS） 封装:SOT-252/DPAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):50 极间电容Ciss(PF):960 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100 温度(℃): -55 ~150 描述:25V,50A N-Channel 功率MOSFET
供应 三极管 MJE13005,MJE13003
信息内容：产品型号:MJE13005 这些设备是专为高电压，高速功率开关电感电路下降时间是至关重要的。特别适用于 115和220 V开关模式的应用，如开关稳压器，逆变器，电机控制，电磁阀/继电器驱 动器和偏转电路 封装:TO-220 极性:NPN 集电极-基极电压VCBO(V):700 集电极-发射极电压VCEO(V):400 发射极-基极电压VEBO(V):9 集电极电流 IC(A):4 功率PC(W):75 特征频率fT(MHZ):4 放大倍数hFE:10-60 8-40 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :1.6 结温Tj(℃)150 存储温度Tstg(℃): -65 ~150 描述:400V 4A NPN硅晶体管 特点 .VCEO（SUS）400 V .感性负载的反向偏置SOA@ TC = 100？C .电感的开关矩阵2至4个A，25和100℃TC@ 3A，100℃时为180 ns（典型值） .700 V阻断能力 .SOA和开关应用信息 .无铅包装是可用 高电压开关模式应用 .高速开关 .适用于开关稳压器和电机控制
