价 格: | 面议 | |
型号/规格: | APM2510NUC,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,50A,0.01Ω | |
品牌/商标: | 茂达 | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 2500/盘 |
产品型号:APM2510NUC
应用:在台式计算机或DC / DC转换器电源管理
特点:
* 25V/50A,
RDS(ON)=8.5mΩ(typ.)@ VGS =10V
RDS(ON)=15mΩ(typ.)@ VGS= 4.5V
* 超级HighDense CellDesign
* 额定雪崩
* 可靠耐用的
* 无铅和绿色器件(符合RoHS)
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):50
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):960
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100
温度(℃): -55 ~150
描述:25V,50A N-Channel 功率MOSFET
产品型号:MJE13005 这些设备是专为高电压,高速功率开关电感电路下降时间是至关重要的。特别适用于 115和220 V开关模式的应用,如开关稳压器,逆变器,电机控制,电磁阀/继电器驱 动器和偏转电路 封装:TO-220 极性:NPN 集电极-基极电压VCBO(V):700 集电极-发射极电压VCEO(V):400 发射极-基极电压VEBO(V):9 集电极电流 IC(A):4 功率PC(W):75 特征频率fT(MHZ):4 放大倍数hFE:10-60 8-40 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :1.6 结温Tj(℃)150 存储温度Tstg(℃): -65 ~150 描述:400V 4A NPN硅晶体管 特点 .VCEO(SUS)400 V .感性负载的反向偏置SOA@ TC = 100?C .电感的开关矩阵2至4个A,25和100℃TC@ 3A,100℃时为180 ns(典型值) .700 V阻断能力 .SOA和开关应用信息 .无铅包装是可用 高电压开关模式应用 .高速开关 .适用于开关稳压器和电机控制
产品型号:AP60T03GS 封装:SOT-263/D2PAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):44 极间电容Ciss(PF):1135 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):25 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,45A N-channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)