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供应 场效应管 APM2510,APM2510NUC,APM2510NU

价 格: 面议
型号/规格:APM2510NUC,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,50A,0.01Ω
品牌/商标:茂达
封装形式:SOT-252
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:2500/盘

产品型号:APM2510NUC
应用:在台式计算机或DC / DC转换器电源管理
特点:
 * 25V/50A,
    RDS(ON)=8.5mΩ(typ.)@ VGS =10V
    RDS(ON)=15mΩ(typ.)@ VGS= 4.5V
 * 超级HighDense CellDesign
 * 额定雪崩
 * 可靠耐用的
 * 无铅和绿色器件(符合RoHS)

封装:SOT-252/DPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):50

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):50

极间电容Ciss(PF):960

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100

温度(℃): -55 ~150

描述:25V,50A N-Channel 功率MOSFET

 

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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信息内容:

产品型号:MJE13005 这些设备是专为高电压,高速功率开关电感电路下降时间是至关重要的。特别适用于 115和220 V开关模式的应用,如开关稳压器,逆变器,电机控制,电磁阀/继电器驱 动器和偏转电路 封装:TO-220 极性:NPN 集电极-基极电压VCBO(V):700 集电极-发射极电压VCEO(V):400 发射极-基极电压VEBO(V):9 集电极电流 IC(A):4 功率PC(W):75 特征频率fT(MHZ):4 放大倍数hFE:10-60 8-40 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :1.6 结温Tj(℃)150 存储温度Tstg(℃): -65 ~150 描述:400V 4A NPN硅晶体管 特点 .VCEO(SUS)400 V .感性负载的反向偏置SOA@ TC = 100?C .电感的开关矩阵2至4个A,25和100℃TC@ 3A,100℃时为180 ns(典型值) .700 V阻断能力 .SOA和开关应用信息 .无铅包装是可用 高电压开关模式应用 .高速开关 .适用于开关稳压器和电机控制

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信息内容:

产品型号:AP60T03GS 封装:SOT-263/D2PAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):44 极间电容Ciss(PF):1135 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):25 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,45A N-channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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