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供应 三极管 MJE13005,MJE13003

价 格: 面议
型号/规格:MJE13005,TO-220,DIP/三极管,NPN,400V,4A,
品牌/商标:MOT
封装形式:TO-220
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:1000/盒
功率特性:大功率
频率特性:高频
极性:NPN型

产品型号:MJE13005
这些设备是专为高电压,高速功率开关电感电路下降时间是至关重要的。特别适用于

115和220 V开关模式的应用,如开关稳压器,逆变器,电机控制,电磁阀/继电器驱

动器和偏转电路

封装:TO-220

极性:NPN

集电极-基极电压VCBO(V):700

集电极-发射极电压VCEO(V):400

发射极-基极电压VEBO(V):9

集电极电流 IC(A):4

功率PC(W):75

特征频率fT(MHZ):4

放大倍数hFE:10-60 8-40

集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :1.6

结温Tj(℃)150

存储温度Tstg(℃): -65 ~150

描述:400V 4A NPN硅晶体管
特点
.VCEO(SUS)400 V
.感性负载的反向偏置SOA@ TC = 100?C
.电感的开关矩阵2至4个A,25和100℃TC@ 3A,100℃时为180 ns(典型值)
.700 V阻断能力
.SOA和开关应用信息
.无铅包装是可用

高电压开关模式应用
.高速开关
.适用于开关稳压器和电机控制

 

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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信息内容:

产品型号:AP60T03GS 封装:SOT-263/D2PAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):44 极间电容Ciss(PF):1135 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):25 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,45A N-channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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信息内容:

产品型号:AP9971GH 特点: * 简单的驱动要求 * 低导通电阻 * 表面贴装封装 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):25 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.036 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):39 输入电容Ciss(PF):1700 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s):17 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 上升时间Tr(ns):24 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ. 下降时间Tf(ns):7 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,25A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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