供应 场效应管 AP60T03GS,AP60T03AS,60T03GS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP60T03GS,SOT-263,SMD/MOS,N场,30V,45A,0.012Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
产品型号:AP60T03GS
封装:SOT-263/D2PAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):45
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):44
极间电容Ciss(PF):1135
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,45A N-channel MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP9971GH,AP9971,9971GH
信息内容：产品型号:AP9971GH 特点： * 简单的驱动要求 * 低导通电阻 * 表面贴装封装 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):25 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.036 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):39 输入电容Ciss(PF):1700 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：17 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 上升时间Tr(ns):24 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ. 下降时间Tf(ns):7 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,25A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP4435GH,4435GH,AP4435GH-HF
信息内容：产品型号:AP4435GH 特点： * 简单的驱动要求 * 低导通电阻 * 快速开关特性 * 符合RoHS及无卤素 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-3 功率PD(W):44.6 输入电容Ciss(PF):1160 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：31 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ. 上升时间Tr(ns):64 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ. 下降时间Tf(ns):94 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-30V,-40A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
