供应 场效应管 KIA3805,KIA3805ZP,KIA3805ZM
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | KIA3805ZP,TO-220,DIP/MOS,N场,55V,220A,0.0033Ω | |
| 品牌/商标： | KIA | |
| 封装形式： | TO-220/247 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:KIA3805
1.描述
功率MOSFET的设计采用沟槽基于布局的过程。这技术提高的表现相比，标准件，从各种sources.All的这些功率MOSFET是专为应用在开关稳压器，开关转换器，电机和继电器驱动器和驱动器的高要求高速度和低栅极驱动电源的功率双极晶体管的开关。
2，用途
* VDSS =55V，RDS（ON）=3.3mΩ，ID =220A
* 先进的工艺技术
* 超低导通电阻
* 175°C的工作温度
* 快速开关
* 最多允许重复雪崩TJMAX
封装:TO-220/247
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):220
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0033 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):130
输入电容Ciss(PF):7960 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：75
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):730
导通延迟时间Td(on)(ns):150 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):93 typ.
下降时间Tf(ns):87 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:55V,220A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 STP27N3LH5,27N3LH5
信息内容：产品型号:STP27N3LH5 特点 * RDS(ON)Qg和行业基准 * 极低的导通电阻RDS(on) * 极低的开关栅极电荷 * 高雪崩坚固耐用 * 低栅极驱动器的功率损耗 应用 * 开关应用 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±22 漏极电流Id(A):27 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1 MIN. 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):475 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):50 导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ. 上升时间Tr(ns):22 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):13 typ. 下降时间Tf(ns):2.8 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,27A N-沟道增强型场效应晶体管 This STripFE V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class figure of merit (FOM). (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 APM2510,APM2510NUC,APM2510NU
信息内容：产品型号:APM2510NUC 应用:在台式计算机或DC / DC转换器电源管理 特点: * 25V/50A， RDS（ON）=8.5mΩ（typ.）@ VGS =10V RDS（ON）=15mΩ（typ.）@ VGS= 4.5V * 超级HighDense CellDesign * 额定雪崩 * 可靠耐用的 * 无铅和绿色器件（符合RoHS） 封装:SOT-252/DPAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):50 极间电容Ciss(PF):960 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100 温度(℃): -55 ~150 描述:25V,50A N-Channel 功率MOSFET
