供应 场效应管 NTD95N02RT4G,T95N02RG,NTD95N02
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | NTD95N02RT4G\tON\tSOT-252\t09NPB\tSMD/MOS\tN场\t24V\t95A\t0.005Ω | |
| 品牌/商标： | ON（安森美） | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:NTD95N02RT4G
特点
* 高功率和电流处理能力
* 快速开关性能
* 低RDS（on）为导通损耗最小化
* 低栅极电荷开关损耗最小化
* Pb-Free
应用
* CPU主板Vcore应用
* 高频率DC-DC转换器
* 电机驱动器
* 桥电路
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):95
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):86
输入电容Ciss(PF):2400 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：30
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):82 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.
下降时间Tf(ns):70 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:24V,95A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 NTD85N02RT4,NTD85N02R,NTD85N02
信息内容：产品型号:NTD85N02RT4 特点 * Pb−Free Packages are Available * Planar HD3e Process for Fast Switching Performance * Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss * Low Ciss to Minimize Driver Loss * Low Gate Charge 应用 * CPU主板Vcore应用 * 高频率DC-DC转换器 * 电机驱动器 * 桥电路 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):85 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0052 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):78.1 输入电容Ciss(PF):2050 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：38 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):85 导通延迟时间Td(on)(ns):6.3 typ. 上升时间Tr(ns):77 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ. 下降时间Tf(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:24V,85A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 KIA3805,KIA3805ZP,KIA3805ZM
信息内容：产品型号:KIA3805 1.描述 功率MOSFET的设计采用沟槽基于布局的过程。这技术提高的表现相比，标准件，从各种sources.All的这些功率MOSFET是专为应用在开关稳压器，开关转换器，电机和继电器驱动器和驱动器的高要求高速度和低栅极驱动电源的功率双极晶体管的开关。 2，用途 * VDSS =55V，RDS（ON）=3.3mΩ，ID =220A * 先进的工艺技术 * 超低导通电阻 * 175°C的工作温度 * 快速开关 * 最多允许重复雪崩TJMAX 封装:TO-220/247 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):220 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0033 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):130 输入电容Ciss(PF):7960 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：75 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):730 导通延迟时间Td(on)(ns):150 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):93 typ. 下降时间Tf(ns):87 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:55V,220A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
