供应 IR牌子 场效应管IRF8707GTRPBF 【原装】【大量现货】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF8707GTRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 2.5W | |
| 电流： | 11A | |
| 漏源极电压： | 30V |
数据列表 | IRF8707GTRPBF |
产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 11A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 11.9毫欧@ 11A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 2.35V @ 25µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.3nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 15V |
功率-值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装 | 带卷(TR) |
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- 所属城市：广东 深圳
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供应：场效应管 FSC：FQA55N25 【全新原装】【优势代理】
信息内容：FQA55N25场效应管MOSFET N TO-3P晶体管极性:N沟道电流, Id连续:55A电压, Vds:250V在电阻RDS（上）:40mohm电压@ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th典型值:5V功耗, Pd:310W工作温度范围:-55°C到 150°C封装类型:TO-3P针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)功率, Pd:310W功耗:310W封装类型:TO-3P漏极电流, Id值:55A电压Vgs @ Rds on测量:10V电压, Vds典型值:250V电压, Vgs:30V电流, Idm脉冲:220A结温, Tj:-55°C结温, Tj:150°C 深圳市信科盛电子经营部地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都 联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振优势品牌产品系列：1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器4：MICROCHIP（微芯）①：8位PIC单片机 ②：16位PIC单片机 ③：32位PIC单片机5:：Texas Instruments（德州...
供应：ST牌子 场效应管STP55NF06【ST代理】【原装】
信息内容：STP55NF06场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 50A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS（上）: 18mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 30W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 功率, Pd: 30W 功耗: 30W 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 漏极电流, Id值: 50A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 60V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 200A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 18mohm
