价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | FQA55N25 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
功耗: | 310W | |
电压: | 250V | |
电流: | 55A |
FQA55N25
深圳市信科盛电子经营部
地址:深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都
联系方式:业务联系电话:13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ:466741729 QQ:1584381795
主要经营:集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振
优势品牌产品系列:
1:ATMEL(爱特梅尔):①:非易失性存储器、②:微控制器、③:成像IC
2:IR(国际整流器): ①:功率MOS管、 ②:IGBT模块 ③:二极管
3:ST(意法半导体): ①:微控制器、 ②:智能卡IC ③:专用存储器
4:MICROCHIP(微芯)①:8位PIC单片机 ②:16位PIC单片机 ③:32位PIC单片机
5::Texas Instruments(德州仪器):①:数字信号处理器 ②:模拟和混合信号器件 ③:逻辑IC。
厂家直销:
1:蓝宝石电解电容
2:USB
3:晶振
4:产品较多未能录尽,如有需要请直接联系业务,
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深圳市信科盛电子经营部
(前身:深圳市佳盛电子)成立至今已是多家公司、工厂,电子元器件供应商,长期合作伙伴。
公司始终秉持“信誉为本,质量,顾客至上”的经营理念。
我们今天所取得的成绩,取决于新老客户的大力支持与厚爱,今后我们将以更好的三优服务——质优、价优、服务优,来回馈客户多年来对信科盛电子一如既往的信任与合作!
信科盛电子希望永远与您共谋发展、携手共进,共创美好未来!
STP55NF06场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 50A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS(上): 18mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 30W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 功率, Pd: 30W 功耗: 30W 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 漏极电流, Id值: 50A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 60V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 200A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 18mohm
场效应管MOSFET N 60V TO-220AB 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 160A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS(上): 4.2mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 230W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 230W 功耗: 230mW 器件标号: 3306 封装类型: TO-220AB 工作温度范围: -55°C到 175°C 栅极电荷Qg N沟道: 85nC 漏极电流, Id值: 120A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 620A 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 2V 阈值电压, Vgs th: 4V