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供应:场效应管 FSC:FQA55N25 【全新原装】【优势代理】

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:FQA55N25
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
用途:A/宽频带放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
功耗:310W
电压:250V
电流:55A

FQA55N25

  • 场效应管MOSFET N TO-3P
  • 晶体管极性:N沟道
  • 电流, Id连续:55A
  • 电压, Vds:250V
  • 在电阻RDS(上):40mohm
  • 电压@ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th典型值:5V
  • 功耗, Pd:310W
  • 工作温度范围:-55°C 150°C
  • 封装类型:TO-3P
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功率, Pd:310W
  • 功耗:310W
  • 封装类型:TO-3P
  • 漏极电流, Id:55A
  • 电压Vgs @ Rds on测量:10V
  • 电压, Vds典型值:250V
  • 电压, Vgs:30V
  • 电流, Idm脉冲:220A
  • 结温, Tj:-55°C
  • 结温, Tj:150°C

 

深圳市信科盛电子经营部

地址:深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都                      

联系方式:业务联系电话:13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ:466741729 QQ:1584381795

主要经营:集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振

优势品牌产品系列:

1:ATMEL(爱特梅尔):①:非易失性存储器、②:微控制器、③:成像IC

2:IR(国际整流器): ①:功率MOS管、   ②:IGBT模块 ③:二极管

3:ST(意法半导体):   ①:微控制器、     ②:智能卡IC ③:专用存储器

4:MICROCHIP(微芯)①:8位PIC单片机 ②:16位PIC单片机 ③:32位PIC单片机

5::Texas Instruments(德州仪器):①:数字信号处理器 ②:模拟和混合信号器件 ③:逻辑IC。

厂家直销:

1:蓝宝石电解电容

2:USB

3:晶振

4:产品较多未能录尽,如有需要请直接联系业务,

专注 热情

深圳市信科盛电子经营部

(前身:深圳市佳盛电子)成立至今已是多家公司、工厂,电子元器件供应商,长期合作伙伴。

公司始终秉持“信誉为本,质量,顾客至上”的经营理念。

我们今天所取得的成绩,取决于新老客户的大力支持与厚爱,今后我们将以更好的三优服务——质优、价优、服务优,来回馈客户多年来对信科盛电子一如既往的信任与合作!

信科盛电子希望永远与您共谋发展、携手共进,共创美好未来!

 

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 马加鹏
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:
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公司相关产品

供应:ST牌子 场效应管STP55NF06【ST代理】【原装】

信息内容:

STP55NF06场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 50A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS(上): 18mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 30W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 功率, Pd: 30W 功耗: 30W 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 漏极电流, Id值: 50A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 60V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 200A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 18mohm

详细内容>>

供应 IR牌子 场效应管IRFB3306PBF 【IR代理】【原装】

信息内容:

场效应管MOSFET N 60V TO-220AB 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 160A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS(上): 4.2mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 230W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 230W 功耗: 230mW 器件标号: 3306 封装类型: TO-220AB 工作温度范围: -55°C到 175°C 栅极电荷Qg N沟道: 85nC 漏极电流, Id值: 120A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 620A 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 2V 阈值电压, Vgs th: 4V

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