供应：ST牌子 场效应管STP55NF06【ST代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | STP55NF06 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电压： | 60V | |
| 功耗： | 30W | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +175°C |
STP55NF06
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 50A
- 电压, Vds: 60V
- 在电阻RDS（上）: 18mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 3V
- 功耗, Pd: 30W
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
- 功率, Pd: 30W
- 功耗: 30W
- 封装类型: TO-220
- 封装类型,替代: SOT-78B
- 漏极电流, Id值: 50A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds: 60V
- 电压, Vds典型值: 60V
- 电压, Vgs: 3V
- 电流, Idm脉冲: 200A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 18mohm
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRFB3306PBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N 60V TO-220AB 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 160A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS（上）: 4.2mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 230W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 230W 功耗: 230mW 器件标号: 3306 封装类型: TO-220AB 工作温度范围: -55°C到 175°C 栅极电荷Qg N沟道: 85nC 漏极电流, Id值: 120A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 620A 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 2V 阈值电压, Vgs th: 4V
供应：FSC牌子 场效应管FQPF6N60C 【优势库存】【原装】
信息内容：FQPF6N60C场效应管MOSFET N TO-220F 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 5.5A 电压, Vds: 600V 在电阻RDS（上）: 2ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 40W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-220F 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 40W 功耗: 40W 封装类型: TO-220F 晶体管数: 1 漏极电流, Id值: 5.5A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 600V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 22A 表面安装器件: Through Hole
