供应：FSC牌子 场效应管FQPF6N60C 【优势库存】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQPF6N60C | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | 40W | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +150°C | |
| 电压： | 10V |
FQPF6N60C
- 场效应管MOSFET N TO-220F
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 5.5A
- 电压, Vds: 600V
- 在电阻RDS（上）: 2ohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 40W
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 封装类型: TO-220F
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 40W
- 功耗: 40W
- 封装类型: TO-220F
- 晶体管数: 1
- 漏极电流, Id值: 5.5A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 600V
- 电压, Vgs: 30V
- 电流, Idm脉冲: 22A
- 表面安装器件: Through Hole
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 马加鹏
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供应：FSC牌子 场效应管FQPF10N60C 【优势库存】【原装】
信息内容：FQPF10N60C类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET -单系列：QFET&trade；FET型：MOSFET N通道，金属氧化物FET特点：标准型漏极至源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id) @ 25°；C：9.5A闸电荷(Qg) @ Vgs：57nC @ 10V在Vds时的输入电容(Ciss)：2040pF @ 25V功率-：50W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3全封装（直引线）包装：管件
供应：场效应管 FSC：FQA38N30 【全新原装】【优势代理】
信息内容：FQA38N30 数据列表FQA38N30产品相片TO-3P-3,TO-247-3产品变化通告Product Discontinuation 14/Mar/2011标准包装30类别分立半导体产品家庭FET - 单系列QFET™FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压 (Vdss)300V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）38.4A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）85毫欧 @ 19.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)120nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4400pF @ 25V功率 - 值290W安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装TO-3PN包装管件 深圳市信科盛电子经营部地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都 联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振优势品牌产品系列：1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器4：MICROCH...
