供应：FSC牌子 场效应管FQPF10N60C 【优势库存】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQPF10N60C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| FET 特点： | 标准型 | |
| 漏极至源极电压(Vdss： | 600V | |
| 功率 - ： | 50W |
FQPF10N60C
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET -单
系列：QFET&trade；
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id) @ 25°；C：9.5A
闸电荷(Qg) @ Vgs：57nC @ 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：2040pF @ 25V
功率-：50W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3全封装（直引线）
包装：管件
- 所属城市：广东 深圳
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供应：场效应管 FSC：FQA38N30 【全新原装】【优势代理】
信息内容：FQA38N30 数据列表FQA38N30产品相片TO-3P-3,TO-247-3产品变化通告Product Discontinuation 14/Mar/2011标准包装30类别分立半导体产品家庭FET - 单系列QFET™FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压 (Vdss)300V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）38.4A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）85毫欧 @ 19.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)120nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4400pF @ 25V功率 - 值290W安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装TO-3PN包装管件 深圳市信科盛电子经营部地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都 联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振优势品牌产品系列：1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器4：MICROCH...
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP50N06C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 50A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS（上）: 22mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 120W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 120W 功耗: 120W 器件标记: FQP50N06 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 工作温度范围: -55°C到 175°C 漏极电流, Id值: 50A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 200A 通态电阻, Rds on: 22mohm 阈值电压, Vgs th: 4V
