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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP50N06C 【原装】

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:FQP50N06C
封装外形:SMD(SO)/表面封装
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
用途:L/功率放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
阈值电压, Vgs th:4V
功耗:120W
工作温度范围:-55°C 到 +175°C

场效应管MOSFET N TO-220

  •  晶体管极性: N沟道
  •  电流, Id连续: 50A
  •  电压, Vds: 60V
  •  在电阻RDS(上): 22mohm
  •  电压@ Rds测量: 10V
  •  阈值电压, Vgs th典型值: 4V
  •  功耗, Pd: 120W
  •  工作温度敏: -55°C
  •  工作温度: 175°C
  •  封装类型: TO-220
  •  针脚数: 3
  •  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  •  功率, Pd: 120W
  •  功耗: 120W
  •  器件标记: FQP50N06
  •  封装类型: TO-220
  •  封装类型,替代: SOT-78B
  •  工作温度范围: -55°C 175°C
  •  漏极电流, Id: 50A
  •  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
  •  电压, Vds典型值: 60V
  •  电压, Vgs: 4V
  •  电流, Idm脉冲: 200A
  •  通态电阻, Rds on: 22mohm
  •  阈值电压, Vgs th: 4V

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 马加鹏
  • 电话:
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公司相关产品

供应:IR场效应管:IRFP4321PBF 原装 大量现货库存

信息内容:

IRFP4321PBF 场效应管MOSFET N 150V TO-247AC 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 78A 电压, Vds: 150V ???电阻RDS(上): 12mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 310mW 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) SMD标号: 310 功耗: 310mW 器件标号: 4321 封装类型: TO-247AC 漏极电流, Id值: 78A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 150V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 330A 表面安装器件: Through Hole

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供应:ON牌子:晶体管达林顿:MJ11015G优势代理 原装现货

信息内容:

MJ11015G 晶体管达林顿TO-3 晶体管极性: PNP 电压, Vceo: 120V 功耗, Pd: 200W 集电极直流电流: 30A 直流电流增益hFE: 1000 工作温度范围: -55°C到 200°C 封装类型: TO-3 针脚数: 2 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 封装类型: TO-3 总功率, Ptot: 200W 晶体管数: 1 晶体管类型: 达林顿晶体管 连续电流, Ic: 30A 最小增益带宽ft: 4MHz 满功率温度: 25°C 电压, Vcbo: 120V 电流, Ic hFE: 20A 电流, Ic: 30A 直流电流增益hfe,最小值: 1000 集电极电流, Ic平均值: 30A 饱和电压, Vce sat: -3V

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