价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | FQP50N06C | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
用途: | L/功率放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
阈值电压, Vgs th: | 4V | |
功耗: | 120W | |
工作温度范围: | -55°C 到 +175°C |
场效应管MOSFET N TO-220
IRFP4321PBF 场效应管MOSFET N 150V TO-247AC 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 78A 电压, Vds: 150V ???电阻RDS(上): 12mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 310mW 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) SMD标号: 310 功耗: 310mW 器件标号: 4321 封装类型: TO-247AC 漏极电流, Id值: 78A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 150V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 330A 表面安装器件: Through Hole
MJ11015G 晶体管达林顿TO-3 晶体管极性: PNP 电压, Vceo: 120V 功耗, Pd: 200W 集电极直流电流: 30A 直流电流增益hFE: 1000 工作温度范围: -55°C到 200°C 封装类型: TO-3 针脚数: 2 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 封装类型: TO-3 总功率, Ptot: 200W 晶体管数: 1 晶体管类型: 达林顿晶体管 连续电流, Ic: 30A 最小增益带宽ft: 4MHz 满功率温度: 25°C 电压, Vcbo: 120V 电流, Ic hFE: 20A 电流, Ic: 30A 直流电流增益hfe,最小值: 1000 集电极电流, Ic平均值: 30A 饱和电压, Vce sat: -3V