供应 场效应管 AP9962GH,AP9962,9962GH
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP9962GH,SOT-252,SMD/MOS,N场,40V,32A,0.02Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:AP9962GH
特点
* 低导通电阻
* 单个驱动器的要求
* 表面贴装封装
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):32
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):27.8
输入电容Ciss(PF):1170 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：19
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):38 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.
下降时间Tf(ns):5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:40V,32A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 P0550BT,P0550AT,P0850AT
信息内容：P0550AT,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω P0550BT,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,5A, P0850AT,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω Part Number Package Type VDS VGS ID(25℃) VGS(th) RDS(on) mΩ Max Ciss Crss Qg Qgd (V) (±V) (A) max Typ.(pf) Typ.(pf) Typ.(nC) Typ.(nC) 10V P0550AT TO-220 N 500 30 5 4.5 1500 691 12 12.1 3.6 ...
供应 场效应管 P0850ATF,P0550ATF,P1350ATF
信息内容：产品型号:P0850ATF 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):39 输入电容Ciss(PF):1250 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):232 导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ. 上升时间Tr(ns):71 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):112 typ. 下降时间Tf(ns):69 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
