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供应 IC 芯片IRF540N原装进口

价 格: 1.56
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF540N
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:A/宽频带放大
封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载
材料:GE-N-FET锗N沟道

原装进口,特价现货,大量价格从优

  • 晶体管极性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:27A
  • 电压, Vds :100V
  • 在电阻RDS(上):52mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:94W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
  • 功率, Pd:94W
  • 功耗:94W
  • 器件标记:IRF540N
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id 值:33A
  • 热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs :4V
  • 电流, Idm 脉冲:110A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚格式:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • 针脚配置:a
"

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
  • 电话:
  • 传真:
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供应 场效应管IRFP4710原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 72A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 45A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 6160pF @ 25V 功率 - 190W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP4710PBF

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供应 IC 芯片IRF630N原装进口

信息内容:

晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:9.3A电压, Vds :200V在电阻RDS(上):300mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:82W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:82W功耗:82W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:9.3A热阻, 结至外壳 A:1.83°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:37A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4V

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