价 格: | 1.56 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF540N | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
原装进口,特价现货,大量价格从优
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 72A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 45A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 6160pF @ 25V 功率 - 190W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP4710PBF
晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:9.3A电压, Vds :200V在电阻RDS(上):300mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:82W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:82W功耗:82W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:9.3A热阻, 结至外壳 A:1.83°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:37A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4V