品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFZ34VS |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 60(V) |
夹断电压 | 4(V) | 跨导 | 0(μS) |
极间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
漏极电流 | 0(mA) | 耗散功率 | 0(mW) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
IRFZ34VSPbF, IRFZ34VLPbF |
D2PAK, TO-263 |
IR Hexfet D2PAK |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
28 毫欧 @ 18A, 10V |
60V |
30A |
4V @ 250µA |
49nC @ 10V |
1120pF @ 25V |
70W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
管件 |
品牌/商标 国产 型号/规格 MMDT2222A 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 40(V) 截止频率fT 300(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 数据列表MMDT2222A产品相片SOT-363 PKG产品变化通告Encapsulate Change 09/July/2007Wire Change 16/Sept/2008其它图纸SOT-363 Package TopSOT-363 Package Side 1SOT-363 Package Side 2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 阵列系列-晶体管类型2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)()600mA电压 - 集电极发射极击穿()40VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1V @ 50mA, 500mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA, 10V功率 - 200mW频率 - 转换300MHz安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP, SC-88, SOT-363供应商设备封...
品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF2N60C 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 25(V) 集电极允许电流ICM 2(A) 集电极耗散功率PCM 23(W) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装