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N沟MOSF管IRFZ34VS

价 格: 12.00

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFZ34VS
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 开启电压 60(V)
夹断电压 4(V) 跨导 0(μS)
极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB)
漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装
IRFZ34VSPbF, IRFZ34VLPbF
D2PAK, TO-263
IR Hexfet D2PAK
50
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
28 毫欧 @ 18A, 10V
60V
30A
4V @ 250µA
49nC @ 10V
1120pF @ 25V
70W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
管件

深圳市钜腾电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 孔维年
  • 电话:755-83260808
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