MMDT2222A放大三极管
| 价 格： | 0.60 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | MMDT2222A |
| 应用范围 | 放大 | 极性 | NPN型 |
| 击穿电压VCBO | 40（V） | 截止频率fT | 300（MHz） |
| 结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
| MMDT2222A |
| SOT-363 PKG |
| Encapsulate Change 09/July/2007 Wire Change 16/Sept/2008 |
| SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 阵列 |
| - |
| 2 NPN（双） |
| 600mA |
| 40V |
| 1V @ 50mA, 500mA |
| - |
| 100 @ 150mA, 10V |
| 200mW |
| 300MHz |
| 表面贴装 |
| 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| SOT-363 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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FQPF2N60C功率三极管
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF2N60C 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 25（V） 集电极允许电流ICM 2（A） 集电极耗散功率PCM 23（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
N沟MOSF管IRFZ34NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFZ34NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 25（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ34NSPbF, IRFZ34NLPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 16A,...
