FQPF2N60C功率三极管
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | FairChild仙童 | 型号/规格 | FQPF2N60C |
| 应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 25（V） |
| 集电极允许电流ICM | 2（A） | 集电极耗散功率PCM | 23（W） |
| 结构 | 点接触型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFZ34NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFZ34NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 25（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ34NSPbF, IRFZ34NLPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 16A,...
N沟MOSF管BSS123
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 BSS123 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 25（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET数据列表BSS123产品相片SOT-23-3产品目录绘图SOT-23 MOSFET标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchMOS™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 120mA, 10V漏极至源极电压(Vd...
