N沟MOSF管BSS123
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | BSS123 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | CHIP/小型片状 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 100（V） |
| 夹断电压 | 25（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET
| BSS123 |
| SOT-23-3 |
| SOT-23 MOSFET |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| TrenchMOS™ |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 6 欧姆 @ 120mA, 10V |
| 100V |
| 150mA |
| 2.8V @ 1mA |
| - |
| 40pF @ 25V |
| 250mW |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 带卷 (TR) |
| TO-236AB |
- 所属城市：广东 深圳
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DTA123带阻尼三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 DTA123 应用范围 带阻尼 功率特性 小功率 频率特性 低频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 集电极允许电流ICM 10m（A） 集电极耗散功率PCM 200m（W） 营销方式 现货 产品性质 热销
N沟MOSF管IRF7401
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7401 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, N沟MOSFET数据列表IRF7401PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4.1A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)...
