DTA123带阻尼三极管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | DTA123 |
| 应用范围 | 带阻尼 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 集电极允许电流ICM | 10m（A） | 集电极耗散功率PCM | 200m（W） |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
- 手机：
- QQ ：
N沟MOSF管IRF7401
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7401 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, N沟MOSFET数据列表IRF7401PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4.1A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)...
N沟MOSF管IRFZ24VS
信息内容：品牌/商标 Federick美国 型号/规格 IRFZ24VS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 10（V） 夹断电压 10（V） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 100（mW） 数据列表IRFZ24VSPbF, IRFZ24VLPbF产品相片D2PAK Pkg产品目录绘图D2Pak Side标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A在 V...
