N沟MOSF管IRF7401
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7401 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 4.5（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
SO8, N沟MOSFET
| IRF7401PbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 22 毫欧 @ 4.1A, 4.5V |
| 20V |
| 8.7A |
| 700mV @ 250µA |
| 48nC @ 4.5V |
| 1600pF @ 15V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SO |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFZ24VS
信息内容：品牌/商标 Federick美国 型号/规格 IRFZ24VS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 10（V） 夹断电压 10（V） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 100（mW） 数据列表IRFZ24VSPbF, IRFZ24VLPbF产品相片D2PAK Pkg产品目录绘图D2Pak Side标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A在 V...
P沟MOSF管RFR5505增强型MOS管P沟道
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR5505 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 55（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
