P沟MOSF管RFR5505增强型MOS管P沟道
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFR5505 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 55（V） |
| 夹断电压 | 10（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
- 手机：
- QQ ：
N沟MOSF管SI9926BDY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9926BDY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 1.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, N沟MOSFET数据列表SI9926BDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列TrenchFET®FET 型2 个 N 沟道（双）FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8.2A, 4.5V漏极至源极电压(...
N沟MOSF管SI4410DY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI4410DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
