N沟MOSF管SI4410DY
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI4410DY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
- 手机：
- QQ ：
MMBT2369. SOT-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBT2369 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 15（V） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表PN2369A, MMBT2369A产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Package标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）200mA电压 - 集电极发射极击穿（）15VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）500mV @ 10mA, 100mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 10mA, 1V功率 - 225mW频率 - 转换-安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23包装带卷 (TR)
P沟MOSF管IRF7406
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7406 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 1（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, P沟MOSFET数据列表IRF7406PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 2.8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V...
