P沟MOSF管IRF7406
| 价 格： | 2.50 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7406 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 1（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
SO8, P沟MOSFET
| IRF7406PbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 45 毫欧 @ 2.8A, 10V |
| 30V |
| 5.8A |
| 1V @ 250µA |
| 59nC @ 10V |
| 1100pF @ 25V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SO |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF1010NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF1010NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 4（V） 跨导 11（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 25（mA） 耗散功率 10（mW）
MMBT4401. SOT-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBT4401 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 40（V） 截止频率fT 250（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表MMBT4401LT1产品相片SOT-23-3产品变化通告Wire Change 08/May/2007Possible Adhesion Issue 11/July/2008标准包装10,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）600mA电压 - 集电极发射极击穿（）40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）750mV @ 50mA, 500mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA, 1V功率 - 225mW频率 - 转换250MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3包装带卷 (TR)
