N沟MOSF管IRF1010NS
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF1010NS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 55（V） |
| 夹断电压 | 4（V） | 跨导 | 11（μS） |
| 极间电容 | 1（pF） | 低频噪声系数 | 1（dB） |
| 漏极电流 | 25（mA） | 耗散功率 | 10（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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MMBT4401. SOT-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBT4401 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 40（V） 截止频率fT 250（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表MMBT4401LT1产品相片SOT-23-3产品变化通告Wire Change 08/May/2007Possible Adhesion Issue 11/July/2008标准包装10,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）600mA电压 - 集电极发射极击穿（）40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）750mV @ 50mA, 500mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA, 1V功率 - 225mW频率 - 转换250MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3包装带卷 (TR)
S8050.SOT-23.TO-92放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 S8050 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 25（V） 集电极允许电流ICM 1.5（A） 截止频率fT 100（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表SS8050产品相片TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead产品变化通告Fe Wire Change 12/Oct/2007标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）1.5A电压 - 集电极发射极击穿（）25VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）500mV @ 80mA, 800mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)160 @ 100mA, 1V功率 - 1W频率 - 转换100MHz安装类型通孔封装/外壳TO-92-3（标准主体），TO-226供应...
