MMBT4401. SOT-23放大三极管
| 价 格： | 0.15 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | MMBT4401 |
| 应用范围 | 放大 | 极性 | NPN型 |
| 击穿电压VCBO | 40（V） | 截止频率fT | 250（MHz） |
| 结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
NA Small Signal Transistors PNP General Purpos
| MMBT4401LT1 |
| SOT-23-3 |
| Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| 10,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| NPN |
| 600mA |
| 40V |
| 750mV @ 50mA, 500mA |
| - |
| 100 @ 150mA, 1V |
| 225mW |
| 250MHz |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| SOT-23-3 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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S8050.SOT-23.TO-92放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 S8050 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 25（V） 集电极允许电流ICM 1.5（A） 截止频率fT 100（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表SS8050产品相片TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead产品变化通告Fe Wire Change 12/Oct/2007标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）1.5A电压 - 集电极发射极击穿（）25VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）500mV @ 80mA, 800mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)160 @ 100mA, 1V功率 - 1W频率 - 转换100MHz安装类型通孔封装/外壳TO-92-3（标准主体），TO-226供应...
N沟MOSF管IRFR024N
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRFR024N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 25（V） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟数据列表IRF(R,U)024NPbF产品相片TO-252-2产品目录绘图IR Hexfet DPak标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)370pF @ 25V功率 - 45W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片)...
