N沟MOSF管IRFR024N
| 价 格： | 4.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRFR024N |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 25（V） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟
| IRF(R,U)024NPbF |
| TO-252-2 |
| IR Hexfet DPak |
| 2,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 75 毫欧 @ 10A, 10V |
| 55V |
| 17A |
| 4V @ 250µA |
| 20nC @ 10V |
| 370pF @ 25V |
| 45W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 带卷 (TR) |
| D-Pak |
MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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放大三极管2SD602，质优价廉量大从优
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2SD602 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 50（V） 截止频率fT 200（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P数据列表2SD0602A View all Specifications产品相片MINI3SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST32SB07920SL产品目录绘图Transistor Mini 3-Pin标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）500mA电压 - 集电极发射极击穿（）50VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）600mV @ 30mA, 300mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)85 @ 150mA, 10V功率 - 200mW频率 - 转换200MHz安装类型表面贴装封装/外壳迷你型3-G1（SC-59）供...
P沟MOSF管IRF7314，优质场效应管
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7314 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 0（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, P沟MOSFET数据列表IRF7314PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列HEXFET®FET 型2 个 P 沟道（双）FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C58 毫欧 @ 2.9A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - ...
