放大三极管2SD602，质优价廉量大从优
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | 2SD602 |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 50（V） |
| 截止频率fT | 200（MHz） | 结构 | 面接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
NA TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P
| 2SD0602A View all Specifications |
| MINI3 SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3 2SB07920SL |
| Transistor Mini 3-Pin |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| NPN |
| 500mA |
| 50V |
| 600mV @ 30mA, 300mA |
| - |
| 85 @ 150mA, 10V |
| 200mW |
| 200MHz |
| 表面贴装 |
| 迷你型3-G1（SC-59） |
| 迷你型3-G1 |
| 带卷 (TR) |
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P沟MOSF管IRF7314，优质场效应管
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7314 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 0（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, P沟MOSFET数据列表IRF7314PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列HEXFET®FET 型2 个 P 沟道（双）FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C58 毫欧 @ 2.9A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - ...
P沟MOSF管SI9933ADY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9424DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
