P沟MOSF管SI9933ADY
| 价 格： | 12.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI9424DY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 10（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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放大三极管MMBTA28
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBTA28 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 80（V） 截止频率fT 125（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装
N沟MOSF管IRFR3704PBF. IR
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR3704PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 3（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRFR3704PbF, IRFU3704PbF产品相片TO-252-2标准包装75类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 15A, 1...
