N沟MOSF管IRFR3704PBF. IR
| 价 格： | 7.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFR3704PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 3（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET
| IRFR3704PbF, IRFU3704PbF |
| TO-252-2 |
| 75 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 9.5 毫欧 @ 15A, 10V |
| 20V |
| 75A |
| 3V @ 250µA |
| 19nC @ 4.5V |
| 1996pF @ 10V |
| 62W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
dzsc/18/5898/18589802.jpg
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
- 手机：
- QQ ：
N沟MOSF管IRFR3710Z
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFR3710Z 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
P沟MOSF管BSS84P
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 BSS84P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 60（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
